制造商型号: | FGH60T65SQD-F155 |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-IGBT |
商品描述: | 650V 60A FS4 TRENCH IGBT |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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ON(安森美) FGH60T65SQD-F155
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FGH60T65SQD-F155 中文资料
数据手册PDF
FGH60T65SQD-F155 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.6 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 120 A
耗散功率 333 W
栅极—射极漏泄电流 400 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 8.233 g
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 47.03656 | 47.04 |
10 | 42.512916 | 425.13 |
100 | 35.197248 | 3519.72 |
500 | 30.649069 | 15324.53 |
1000 | 26.694348 | 26694.35 |
品牌其他型号
FGH60T65SQD-F155品牌厂家:ON
,所属分类: 晶体管-IGBT
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