制造商型号: | QH8MA3TCR |
制造商: | ROHM (罗姆) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET N/P-CH 30V TSMT8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ROHM(罗姆) QH8MA3TCR
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QH8MA3TCR 中文资料
数据手册PDF
QH8MA3TCR 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 7 A, 5.5 A
漏源电阻 22 mOhms, 37 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V, 2.5 V
栅极电荷 7.2 nC, 10 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 5.7 ns, 20 ns
正向跨导(Min) 2.7 S, 3.3 S
上升时间 8 ns, 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns, 40 ns
典型接通延迟时间 7.2 ns, 8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 QH8MA3
单位重量 10 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
3000 | 2.02924 | 6087.72 |
6000 | 1.922427 | 11534.56 |
9000 | 1.78008 | 16020.72 |
30000 | 1.76242 | 52872.60 |