制造商型号： | STGW30M65DF2 |
制造商： | ST (意法半导体) |
产品类别： | 晶体管-IGBT |
商品描述： | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 自营 digikey |
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ST(意法半导体) STGW30M65DF2
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STGW30M65DF2 中文资料
数据手册PDF
STGW30M65DF2 规格参数
属性
参数值
制造商型号
STGW30M65DF2
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
包装
Tube
系列
-
零件状态
Active
IGBT 类型
Trench Field Stop
电压 - 集射极击穿（最大值）
650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
60A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
120A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
2V @ 15V, 30A
功率 - 最大值
258W
开关能量
300µJ (on), 960µJ (off)
输入类型
Standard
栅极电荷
80nC
25°C 时 Td（开/关）值
31.6ns/115ns
测试条件
400V, 30A, 10Ohm, 15V
反向恢复时间（trr）
140ns
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 25.278234 | 25.28 |
| 10 | 22.688757 | 226.89 |
| 100 | 18.588065 | 1858.81 |
| 500 | 15.823764 | 7911.88 |
| 1000 | 13.3454 | 13345.40 |
品牌其他型号
STGW30M65DF2品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-IGBT
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