制造商型号: | DMN2010UDZ-7 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2535-6 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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DIODES(美台) DMN2010UDZ-7
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DMN2010UDZ-7 中文资料
数据手册PDF
DMN2010UDZ-7 规格参数
属性
参数值
制造商型号
DMN2010UDZ-7
制造商
DIODES(美台)
商品描述
MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2535-6
包装
Digi-Reel®
Alternate Packaging
系列
-
零件状态
Active
FET 类型
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 功能
Standard
漏源电压(Vdss)
24V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
11A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
7mOhm @ 5.5A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
33.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2665pF @ 10V
功率 - 最大值
700mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
6-UDFN Exposed Pad
供应商器件封装
U-DFN2535-6
库存: 3000
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1+ : 需询价 |
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DMN2010UDZ-7品牌厂家:DIODES
,所属分类: 射频晶体管
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