制造商型号： | SQ1539EH-T1_GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N/P-CH 30V POWERPAKSC70-6 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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SILICONIX(威世) SQ1539EH-T1_GE3
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SQ1539EH-T1_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQ1539EH-T1_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 850 mA
漏源电阻 210 mOhms, 788 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V, 2.6 V
栅极电荷 1.4 nC, 1.6 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 32 ns, 17 ns
正向跨导（Min） 1.2 S, 0.6 S
上升时间 18 ns, 39 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 8 ns, 10 ns
典型接通延迟时间 3 ns, 4 ns
外形参数
高度 1 mm
长度 2.1 mm
宽度 1.25 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 1.353231 | 4059.69 |
