制造商型号: | ZXMN3G32DN8TA |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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DIODES(美台) ZXMN3G32DN8TA
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ZXMN3G32DN8TA 中文资料
数据手册PDF
ZXMN3G32DN8TA 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 7.1 A
漏源电阻 28 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 10.5 nC
耗散功率 2.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 9.7 ns
上升时间 3.1 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 2.5 ns
外形参数
高度 1.5 mm
长度 5 mm
宽度 4 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 43 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥3.868242 总价:¥166.33 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
43 | 3.868242 | 166.33 |
50 | 3.570574 | 178.53 |
100 | 3.27305 | 327.31 |
300 | 3.27305 | 981.91 |
500 | 3.27305 | 1636.53 |
1000 | 2.975526 | 2975.53 |
品牌其他型号
ZXMN3G32DN8TA品牌厂家:DIODES
,所属分类: 射频晶体管
,可在锐单商城现货采购ZXMN3G32DN8TA、查询ZXMN3G32DN8TA代理商; ZXMN3G32DN8TA价格批发咨询客服;这里拥有
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