制造商型号： | FGY160T65SPD-F085 |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-IGBT |
商品描述： | 650V FS GEN3 TRENCH IGBT |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) FGY160T65SPD-F085
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FGY160T65SPD-F085 中文资料
数据手册PDF
FGY160T65SPD-F085 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.6 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 240 A
耗散功率 882 W
栅极—射极漏泄电流 +/- 250 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 FGY160T65SPD_F085
单位重量 6.100 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 108.059651 | 108.06 |
| 10 | 99.295133 | 992.95 |
| 100 | 83.861646 | 8386.16 |
| 500 | 74.600834 | 37300.42 |
| 1000 | 68.427007 | 68427.01 |
品牌其他型号
FGY160T65SPD-F085品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-IGBT
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