制造商型号: | TK14G65W,RQ |
制造商: | Toshiba (东芝) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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Toshiba(东芝) TK14G65W,RQ
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TK14G65W,RQ 中文资料
数据手册PDF
TK14G65W,RQ 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 13.7 A
漏源电阻 220 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 35 nC
耗散功率 130 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
上升时间 20 ns
典型关闭延迟时间 110 ns
典型接通延迟时间 60 ns
外形参数
高度 10.4 mm
长度 10 mm
宽度 4.5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2.387 g
库存: 827
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 26.419426 | 26.42 |
10 | 23.69845 | 236.98 |
100 | 19.046825 | 1904.68 |
500 | 15.648428 | 7824.21 |
品牌其他型号
TK14G65W,RQ品牌厂家:Toshiba
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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