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TK14G65W,RQ

TK14G65W,RQ

数据手册.pdf
Toshiba(东芝) 分立器件

TK14G65W,RQ 编带

N-Channel 650V 13.7A Ta 130W Tc Surface Mount D2PAK


得捷:
MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK


立创商城:
N沟道 650V 13.7A


贸泽:
MOSFET Power MOSFET N-Channel


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 13.7A 3-Pin D2PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


TK14G65W,RQ中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 220 mΩ

耗散功率 130 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 650 V

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 1300pF @300VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 130W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.5 mm

高度 10.4 mm

封装 TO-262-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

TK14G65W,RQ引脚图与封装图
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