制造商型号： | DMG8601UFG-7 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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DIODES(美台) DMG8601UFG-7
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DMG8601UFG-7 中文资料
数据手册PDF
DMG8601UFG-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 6.1 A
漏源电阻 17 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 350 mV
栅极电荷 8.8 nC
耗散功率 920 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 234 ns, 234 ns
上升时间 78 ns, 78 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 562 ns, 562 ns
典型接通延迟时间 53 ns, 53 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 65 mg
库存： 5950
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 7.227217 | 7.23 |
| 10 | 6.180517 | 61.81 |
| 100 | 4.296456 | 429.65 |
| 500 | 3.354426 | 1677.21 |
| 1000 | 2.726531 | 2726.53 |
品牌其他型号
DMG8601UFG-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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