DMG8601UFG-7

Diodes(美台) 分立器件

双N沟道共漏 20V 6.1A

MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）共漏 20V 6.1A 920mW 表面贴装型 U-DFN3030-8

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MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN

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双N沟道共漏 20V 6.1A

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Trans MOSFET N-CH 20V 6.1A Automotive 8-Pin DFN EP T/R

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DMG8601UFG-7中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

输入电容 143 pF

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 6.1A

上升时间 78 ns

输入电容Ciss 143pF @10VVds

额定功率Max 920 mW

下降时间 234 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 920 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 UDFN-8

外形尺寸

封装 UDFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

DMG8601UFG-7引脚图与封装图

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替代型号DMG8601UFG-7

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