制造商型号： | APTM50HM65FT3G |
制造商： | MICROSEMI (美高森美) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 4N-CH 500V 51A SP3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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MICROSEMI(美高森美) APTM50HM65FT3G
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APTM50HM65FT3G 中文资料
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APTM50HM65FT3G 规格参数
属性
参数值
制造商型号
APTM50HM65FT3G
制造商
MICROSEMI(美高森美)
商品描述
MOSFET 4N-CH 500V 51A SP3
包装
Bulk
系列
-
零件状态
Active
FET 类型
4 N-Channel (H-Bridge)
FET 功能
Standard
漏源电压（Vdss）
500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
51A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
78mOhm @ 25.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
140nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
7000pF @ 25V
功率 - 最大值
390W
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/外壳
SP3
供应商器件封装
SP3
库存： 16
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 1578.972732 | 1578.97 |
| 10 | 1504.281441 | 15042.81 |
| 25 | 1472.26846 | 36806.71 |
| 100 | 1344.247703 | 134424.77 |
| 250 | 1333.57841 | 333394.60 |
| 500 | 1280.235341 | 640117.67 |
品牌其他型号
APTM50HM65FT3G品牌厂家：MICROSEMI
，所属分类： 射频晶体管
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