APTM50HM65FT3G
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APTM50HM65FT3G中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 51A
上升时间 38 ns
输入电容Ciss 7000pF @25VVds
额定功率Max 390 W
下降时间 93 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 390000 mW
封装参数
安装方式 Chassis
引脚数 32
封装 SP-3
外形尺寸
封装 SP-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APTM50HM65FT3G引脚图与封装图
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