制造商型号： | BSM180D12P2C101 |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | mouser digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ROHM(罗姆) BSM180D12P2C101
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BSM180D12P2C101 中文资料
数据手册PDF
BSM180D12P2C101 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
产品 Power Semiconductor Modules
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
栅极电压 - 6 V, 22 V
配置 Half-Bridge
下降时间 90 ns
漏极电流 204 A
通道数量 1 Channel
耗散功率 175 W
上升时间 90 ns
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
典型延迟时间 80 ns
典型关闭延迟时间 300 ns
典型接通延迟时间 80 ns
漏源击穿电压 1200 V
栅源极阈值电压 1.6 V
外形参数
高度 21.1 mm
长度 122 mm
宽度 45.6 mm
物理类型
产品种类 分立半导体模块
类型 SiC Power MOSFET
安装风格 Screw Mount
产品类型 Discrete Semiconductor Modules
单位重量 50 g
BSM180D12P2C101 引脚图与封装图
BSM180D12P2C101引脚图
BSM180D12P2C101封装图
BSM180D12P2C101封装焊盘图
库存： 8
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 7479.570413 | 7479.57 |
| 12 | 7198.201303 | 86378.42 |
| 24 | 6973.866471 | 167372.80 |
品牌其他型号
BSM180D12P2C101品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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