制造商型号: | VQ1001P |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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SILICONIX(威世) VQ1001P
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VQ1001P 中文资料
数据手册PDF
VQ1001P 规格参数
属性
参数值
制造商型号
VQ1001P
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
包装
Tube
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
4 N-Channel
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
830mA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
1.75Ohm @ 200mA, 5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
-
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
110pF @ 15V
功率 - 最大值
2W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/外壳
-
供应商器件封装
14-DIP
品牌其他型号
VQ1001P品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 射频晶体管
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