制造商型号： | ALD1101ASAL |
制造商： | ALD |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ALD ALD1101ASAL
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ALD1101ASAL 中文资料
数据手册PDF
ALD1101ASAL 规格参数
关键信息
制造商 Advanced Linear Devices
商标 Advanced Linear Devices
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 40 mA
漏源电阻 50 Ohms, 50 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 -
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 74 mg
其它
发货限制：
ALD1101ASAL 引脚图与封装图
ALD1101ASAL引脚图
ALD1101ASAL封装图
ALD1101ASAL封装焊盘图
库存： 166
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 85.874364 | 85.87 |
| 10 | 77.571116 | 775.71 |
| 25 | 73.963158 | 1849.08 |
| 100 | 61.335301 | 6133.53 |
| 250 | 57.727343 | 14431.84 |
| 500 | 54.119383 | 27059.69 |
| 1000 | 48.707446 | 48707.45 |
| 2500 | 46.903466 | 117258.67 |
| 5000 | 44.377895 | 221889.48 |
品牌其他型号
ALD1101ASAL品牌厂家：ALD
，所属分类： 射频晶体管
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