制造商型号： | SI4943BDY-T1-E3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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SILICONIX(威世) SI4943BDY-T1-E3
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SI4943BDY-T1-E3 中文资料
数据手册PDF
SI4943BDY-T1-E3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 8.4 A
漏源电阻 31 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 25 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI4943BDY-E3
单位重量 750 mg
SI4943BDY-T1-E3 同类别型号
库存： 3007
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 28.051736 | 28.05 |
| 10 | 25.161558 | 251.62 |
| 25 | 23.733469 | 593.34 |
| 100 | 18.509896 | 1850.99 |
| 250 | 18.035283 | 4508.82 |
| 500 | 15.66222 | 7831.11 |
| 1000 | 13.289156 | 13289.16 |
品牌其他型号
SI4943BDY-T1-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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