制造商型号： | NGTB15N120LWG |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-IGBT |
商品描述： | IGBT 1200V 30A 156W TO247-3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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ON(安森美) NGTB15N120LWG
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NGTB15N120LWG 中文资料
数据手册PDF
NGTB15N120LWG 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V
饱和电压 2.2 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 30 A
耗散功率 156 W
栅极—射极漏泄电流 100 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 6.500 g
