制造商型号： | BSG0811NDATMA1 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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INFINEON(英飞凌) BSG0811NDATMA1
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BSG0811NDATMA1 中文资料
数据手册PDF
BSG0811NDATMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 50 A, 50 A
漏源电阻 2.4 mOhms, 3.2 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.6 V
栅极电荷 5.6 nC, 20 nC
耗散功率 2.5 W, 6.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 1.4 ns, 2.6 ns
正向跨导（Min） 46 S, 90 S
上升时间 4.3 ns, 4.7 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 4.3 ns, 8.8 ns
典型接通延迟时间 4.3 ns, 5.6 ns
外形参数
高度 1.15 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSG0811ND SP001075902
单位重量 112.200 mg
库存： 24790
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 40.280627 | 40.28 |
| 10 | 36.141361 | 361.41 |
| 100 | 29.046533 | 2904.65 |
| 500 | 23.863922 | 11931.96 |
| 1000 | 22.727664 | 22727.66 |
品牌其他型号
BSG0811NDATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 射频晶体管
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