制造商型号: | IPG20N04S4L07AATMA1 |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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INFINEON(英飞凌) IPG20N04S4L07AATMA1
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IPG20N04S4L07AATMA1 中文资料
数据手册PDF
IPG20N04S4L07AATMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 7.2 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.7 V
栅极电荷 50 nC
耗散功率 65 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 25 ns
上升时间 4 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 9 ns
外形参数
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPG20N04S4L-07A SP001061264
单位重量 99.710 mg
IPG20N04S4L07AATMA1 同类别型号
库存: 4558
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 22.117283 | 22.12 |
10 | 19.85613 | 198.56 |
25 | 18.72679 | 468.17 |
100 | 14.608526 | 1460.85 |
250 | 14.233645 | 3558.41 |
500 | 12.360966 | 6180.48 |
1000 | 10.488041 | 10488.04 |
2500 | 10.338286 | 25845.72 |
品牌其他型号
IPG20N04S4L07AATMA1品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 射频晶体管
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