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INFINEON(英飞凌) BSC0921NDIATMA1

INFINEON(英飞凌) BSC0921NDIATMA1
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

BSC0921NDIATMA1

制造商:

INFINEON (英飞凌)

产品类别:

射频晶体管

商品描述:

MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

国内现货
digikey

服务:

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BSC0921NDIATMA1 中文资料

BSC0921NDIATMA1 规格参数

关键信息

制造商 Infineon

商标名 OptiMOS

商标 Infineon Technologies

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 40 A

漏源电阻 3.9 mOhms, 1.2 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1.2 V

栅极电荷 8.9 nC, 33 nC

耗散功率 2.5 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 2.4 ns, 3.6 ns

正向跨导(Min) 38 S, 70 S

上升时间 3.4 ns, 5 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 12 ns, 25 ns

典型接通延迟时间 1.8 ns, 5 ns

外形参数

高度 1.27 mm

长度 5.9 mm

宽度 5.15 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 BSC0921NDI SP000934748

单位重量 101.660 mg

库存: 有货

货期:

国内(1~3工作日)

最小起订:

5000 个

整装:

¥10
单价:¥5.780084 总价:¥28900.42

价格(含增值税)

数量 单价 总价
5000 5.780084 28900.42
品牌其他型号
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