制造商型号： | BSZ0910NDXTMA1 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | DIFFERENTIATED MOSFETS |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) BSZ0910NDXTMA1
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BSZ0910NDXTMA1 中文资料
数据手册PDF
BSZ0910NDXTMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 25 A
漏源电阻 9.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 4 nC
耗散功率 31 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.8 ns
正向跨导（Min） 33 S
上升时间 3.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 18.5 ns
典型接通延迟时间 6.2 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSZ0910ND SP001699886
单位重量 23.130 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥20.140313 总价：￥20.14 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 20.140313 | 20.14 |
