制造商型号: | APTC60AM83BC1G |
制造商: | MICROSEMI (美高森美) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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MICROSEMI(美高森美) APTC60AM83BC1G
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APTC60AM83BC1G 规格参数
属性
参数值
制造商型号
APTC60AM83BC1G
制造商
MICROSEMI(美高森美)
商品描述
MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1
包装
Tray
系列
CoolMOS™
零件状态
Obsolete
FET 类型
3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper)
FET 功能
Super Junction
漏源电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
36A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
83mOhm @ 24.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 3mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
250nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
7200pF @ 25V
功率 - 最大值
250W
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/外壳
SP1
供应商器件封装
SP1
品牌其他型号
APTC60AM83BC1G品牌厂家:MICROSEMI
,所属分类: 射频晶体管
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