APTC60AM83BC1G

Microsemi(美高森美) 分立器件

SP-1 N-CH 600V 36A

MOSFET - 阵列 3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路） 600V 36A 250W 底座安装 SP1

得捷:
MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 36A 11-Pin Case SP-1

APTC60AM83BC1G中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 36A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 7200pF @25VVds

额定功率Max 250 W

下降时间 45 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 250000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 11

封装 SP-1

外形尺寸

封装 SP-1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APTC60AM83BC1G引脚图与封装图

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