制造商型号： | NGTB50N120FL2WG |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-IGBT |
商品描述： | IGBT 1200V 100A 535W TO247 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 自营 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) NGTB50N120FL2WG
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NGTB50N120FL2WG 中文资料
数据手册PDF
NGTB50N120FL2WG 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V
饱和电压 2.2 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 100 A
耗散功率 535 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 6.500 g
