制造商型号: | DGTD120T25S1PT |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 晶体管-IGBT |
商品描述: | IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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DIODES(美台) DGTD120T25S1PT
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DGTD120T25S1PT 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V
饱和电压 2 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 50 A
耗散功率 348 W
集电极连续电流(Max) 50 A
栅极—射极漏泄电流 250 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 5.600 g
DGTD120T25S1PT 同类别型号
库存: 1000
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 46.745516 | 46.75 |
10 | 40.4955 | 404.95 |
30 | 39.343423 | 1180.30 |
100 | 38.191346 | 3819.13 |
500 | 37.672912 | 18836.46 |
品牌其他型号
DGTD120T25S1PT品牌厂家:DIODES
,所属分类: 晶体管-IGBT
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