DGTD120T25S1PT
Diodes(美台)
电子元器件分类
DGTD120T25S1PT中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 1200 V
反向恢复时间 100 ns
额定功率Max 348 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 348000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
DGTD120T25S1PT引脚图与封装图
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