制造商型号： | IRF9952TRPBF |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 自营 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) IRF9952TRPBF
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IRF9952TRPBF 中文资料
数据手册PDF
IRF9952TRPBF 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3.5 A
漏源电阻 150 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 14 nC, 12 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
外形参数
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF9952TRPBF SP001555914
单位重量 540 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 4000 | 2.249929 | 8999.72 |
| 8000 | 2.1315 | 17052.00 |
| 12000 | 1.973595 | 23683.14 |
| 28000 | 1.954073 | 54714.04 |
品牌其他型号
IRF9952TRPBF品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 射频晶体管
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