制造商型号: | HGTG30N60A4D |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-IGBT |
商品描述: | IGBT 600V 75A 463W TO247 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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ON(安森美) HGTG30N60A4D
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HGTG30N60A4D 中文资料
数据手册PDF
HGTG30N60A4D 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
饱和电压 1.8 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 75 A
耗散功率 463 W
集电极连续电流 75 A
集电极连续电流(Max) 75 A
栅极—射极漏泄电流 +/- 250 nA
外形参数
高度 20.82 mm
长度 15.87 mm
宽度 4.82 mm
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 HGTG30N60A4D_NL
单位重量 6.390 g