制造商型号: | NGTB40N120FL3WG |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-IGBT |
商品描述: | IGBT 1200V 160A TO247 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 自营 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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ON(安森美) NGTB40N120FL3WG
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NGTB40N120FL3WG 中文资料
数据手册PDF
NGTB40N120FL3WG 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1.2 kV
饱和电压 1.7 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 160 A
耗散功率 454 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 4.083 g
NGTB40N120FL3WG 同类别型号
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 56.508962 | 56.51 |
30 | 45.101566 | 1353.05 |
120 | 40.354093 | 4842.49 |
510 | 35.606477 | 18159.30 |
1020 | 32.045908 | 32686.83 |