制造商型号： | SI5504BDC-T1-E3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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SILICONIX(威世) SI5504BDC-T1-E3
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SI5504BDC-T1-E3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4 A, 3.7 A
漏源电阻 65 mOhms, 140 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V, 3 V
栅极电荷 7 nC
耗散功率 3.12 W, 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
外形参数
高度 1.1 mm
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI5504BDC-E3
单位重量 85 mg
库存： 14042
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 13.959131 | 13.96 |
| 10 | 12.4337 | 124.34 |
| 100 | 9.695121 | 969.51 |
| 500 | 8.0088 | 4004.40 |
| 1000 | 6.322623 | 6322.62 |
品牌其他型号
SI5504BDC-T1-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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