制造商型号： | ZXMC3AMCTA |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 自营 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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DIODES(美台) ZXMC3AMCTA
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ZXMC3AMCTA 中文资料
数据手册PDF
ZXMC3AMCTA 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3.7 A, 2.7 A
漏源电阻 100 mOhms, 280 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V, 3 V
栅极电荷 3.9 nC, 6.4 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2.9 ns, 7.5 ns
正向跨导（Min） 3.5 S, 2.48 S
上升时间 2.3 ns, 2.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 6.6 ns, 11.3 ns
典型接通延迟时间 1.7 ns, 1.5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 13 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 3.029321 | 9087.96 |
| 6000 | 2.95065 | 17703.90 |
