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ROHM(罗姆) QH8KA4TCR

ROHM(罗姆) QH8KA4TCR
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

QH8KA4TCR

制造商:

ROHM (罗姆)

产品类别:

射频晶体管

商品描述:

30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

国内现货
digikey

服务:

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QH8KA4TCR 中文资料

数据手册PDF

QH8KA4TCR 规格参数

关键信息

制造商 ROHM Semiconductor

商标 ROHM Semiconductor

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 9 A

漏源电阻 12.5 mOhms

栅极电压 - 12 V, + 12 V

栅源极阈值电压 500 mV

栅极电荷 12 nC

耗散功率 1.5 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 20 ns, 20 ns

正向跨导(Min) 7 S, 7 S

上升时间 20 ns, 20 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 50 ns, 50 ns

典型接通延迟时间 20 ns, 20 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 QH8KA4

单位重量 10 mg

库存: 有货

货期:

国内(1~3工作日)

最小起订:

3000 个

整装:

¥10
单价:¥2.381349 总价:¥7144.05

价格(含增值税)

数量 单价 总价
3000 2.381349 7144.05
6000 2.319495 13916.97
品牌其他型号
QH8KA4TCR品牌厂家:ROHM ,所属分类: 射频晶体管 ,可在锐单商城现货采购QH8KA4TCR、查询QH8KA4TCR代理商; QH8KA4TCR价格批发咨询客服;这里拥有 QH8KA4TCR中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 QH8KA4TCR替代型号QH8KA4TCR数据手册PDF