制造商型号： | QH8KA4TCR |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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ROHM(罗姆) QH8KA4TCR
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QH8KA4TCR 中文资料
数据手册PDF
QH8KA4TCR 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 9 A
漏源电阻 12.5 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 12 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 20 ns, 20 ns
正向跨导（Min） 7 S, 7 S
上升时间 20 ns, 20 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns, 50 ns
典型接通延迟时间 20 ns, 20 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 QH8KA4
单位重量 10 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 2.381349 | 7144.05 |
| 6000 | 2.319495 | 13916.97 |
