制造商型号： | IXXQ30N60B3M |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-IGBT |
商品描述： | IGBT |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXXQ30N60B3M
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IXXQ30N60B3M 中文资料
数据手册PDF
IXXQ30N60B3M 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
饱和电压 1.66 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 33 A
耗散功率 90 W
集电极连续电流（Max） 140 A
栅极—射极漏泄电流 100 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 26.528319 | 26.53 |
| 10 | 23.825435 | 238.25 |
| 25 | 22.524045 | 563.10 |
| 100 | 18.019236 | 1801.92 |
| 250 | 17.018167 | 4254.54 |
