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IXYS(艾赛斯.力特) IXFN140N25T

IXYS(艾赛斯.力特) IXFN140N25T
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

IXFN140N25T

制造商:

IXYS (艾赛斯.力特)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

mouser
digikey

服务:

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IXFN140N25T 中文资料

数据手册PDF

IXFN140N25T 规格参数

关键信息

制造商 IXYS

商标 IXYS

商标名 HiPerFET

技术类参数

栅极电压 - 20 V, + 20 V

配置 Single

下降时间 22 ns

漏极电流 120 A

通道数量 1 Channel

耗散功率 690 W

漏源电阻 17 mOhms

上升时间 29 ns

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

典型关闭延迟时间 92 ns

典型接通延迟时间 33 ns

漏源击穿电压 250 V

栅源极阈值电压 5 V

外形参数

高度 12.22 mm

长度 38.23 mm

宽度 25.42 mm

物理类型

产品种类 分立半导体模块

类型 GigaMOS HiperFET Power MOSFET

安装风格 Chassis Mount

产品类型 Discrete Semiconductor Modules

单位重量 30 g

库存: 630

货期:

国内(1~3工作日)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:咨询客服 总价:咨询客服
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

价格(含增值税)

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