制造商型号: | IXFN120N65X2 |
制造商: | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 650V 108A SOT-227 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 mouser digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXFN120N65X2
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IXFN120N65X2 中文资料
数据手册PDF
IXFN120N65X2 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
商标名 HiPerFET
技术类参数
栅极电压 - 30 V, + 30 V
配置 Single
下降时间 12 ns
漏极电流 108 A
通道数量 1 Channel
耗散功率 890 W
漏源电阻 24 mOhms
上升时间 23 ns
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
典型关闭延迟时间 86 ns
典型接通延迟时间 64 ns
漏源击穿电压 650 V
栅源极阈值电压 2.7 V
物理类型
产品种类 分立半导体模块
安装风格 Chassis Mount
产品类型 Discrete Semiconductor Modules
单位重量 30 g
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 261.795958 | 261.80 |
10 | 244.255896 | 2442.56 |
100 | 212.078149 | 21207.81 |
品牌其他型号
IXFN120N65X2品牌厂家:IXYS
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
,可在锐单商城现货采购IXFN120N65X2、查询IXFN120N65X2代理商; IXFN120N65X2价格批发咨询客服;这里拥有
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