制造商型号： | FGD3N60UNDF |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-IGBT |
商品描述： | IGBT 600V 6A 60W DPAK |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) FGD3N60UNDF
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FGD3N60UNDF 中文资料
数据手册PDF
FGD3N60UNDF 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
饱和电压 2.4 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 6 A
耗散功率 60 W
集电极连续电流（Max） 3 A
栅极—射极漏泄电流 10 uA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 260.370 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥15.280859 总价：￥15.28 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 15.280859 | 15.28 |
| 10 | 13.6509 | 136.51 |
| 100 | 10.641137 | 1064.11 |
| 500 | 8.790456 | 4395.23 |
| 1000 | 6.939774 | 6939.77 |
品牌其他型号
FGD3N60UNDF品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-IGBT
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