制造商型号: | AFT18P350-4S2LR6 |
制造商: | NXP (恩智浦) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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NXP(恩智浦) AFT18P350-4S2LR6
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AFT18P350-4S2LR6 中文资料
数据手册PDF
AFT18P350-4S2LR6 规格参数
关键信息
制造商 NXP
商标 NXP Semiconductors
技术类参数
晶体管极性 N-Channel
技术 Si
漏极电流 1 A
漏源击穿电压 65 V
工作频率 1805 MHz to 1880 MHz
输出功率 63 W
配置 Single
栅极电压 1.2 V
栅源极阈值电压 1.9 V
规格参数
增益 16.1 dB
物理类型
产品种类 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF MOSFET Transistors
类型 RF Power MOSFET
零件号别名 935317727128
单位重量 8.518 g
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 150 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥1531.385704 总价:¥229707.86 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
150 | 1531.385704 | 229707.86 |
品牌其他型号
AFT18P350-4S2LR6品牌厂家:NXP
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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