制造商型号： | BSC150N03LDGATMA1 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) BSC150N03LDGATMA1
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BSC150N03LDGATMA1 中文资料
数据手册PDF
BSC150N03LDGATMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 12.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 13.2 nC
耗散功率 26 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2 ns
正向跨导（Min） 18 S
上升时间 2.2 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 2.7 ns
外形参数
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC150N03LD G SP000359362
单位重量 154 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥13.486274 总价：￥13.49 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 13.486274 | 13.49 |
| 10 | 12.076898 | 120.77 |
| 100 | 9.417307 | 941.73 |
| 500 | 7.779515 | 3889.76 |
| 1000 | 6.141602 | 6141.60 |
| 2000 | 5.732275 | 11464.55 |
品牌其他型号
BSC150N03LDGATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 射频晶体管
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