制造商型号： | A3G26H501W17SR3 |
制造商： | NXP (恩智浦) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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NXP(恩智浦) A3G26H501W17SR3
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A3G26H501W17SR3 中文资料
数据手册PDF
A3G26H501W17SR3 规格参数
关键信息
制造商 NXP
商标 NXP Semiconductors
技术类参数
技术 GaN
漏极电流 42 mA
漏源击穿电压 150 V
工作频率 2496 MHz to 2690 MHz
输出功率 56 W
栅源极阈值电压 - 3.5 V, - 3.8 V
规格参数
增益 13.7 dB
物理类型
产品种类 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF MOSFET Transistors
零件号别名 935387634128
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 250 | 1065.96004 | 266490.01 |
品牌其他型号
A3G26H501W17SR3品牌厂家：NXP
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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