制造商型号: | MRF8VP13350GNR3 |
制造商: | NXP (恩智浦) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | TRANS RF LDMOS 350W 50V |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
提示: | 联系在线客服,获得更多MRF8VP13350GNR3价格库存等采购信息! |
NXP(恩智浦) MRF8VP13350GNR3
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
MRF8VP13350GNR3 中文资料
数据手册PDF
MRF8VP13350GNR3 规格参数
关键信息
制造商 NXP
商标 NXP Semiconductors
技术类参数
晶体管极性 Dual N-Channel
技术 Si
漏极电流 1.3 A
漏源击穿电压 - 500 mV, 100 V
工作频率 700 MHz to 1300 MHz
输出功率 350 W
通道数量 2 Channel
栅极电压 - 6 V, 10 V
栅源极阈值电压 1.3 V
规格参数
增益 19.2 dB
物理类型
产品种类 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF MOSFET Transistors
类型 RF Power MOSFET
零件号别名 935320727528
单位重量 3.065 g
库存: 1000
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
250 | 1635.692392 | 408923.10 |
品牌其他型号
MRF8VP13350GNR3品牌厂家:NXP
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
,可在锐单商城现货采购MRF8VP13350GNR3、查询MRF8VP13350GNR3代理商; MRF8VP13350GNR3价格批发咨询客服;这里拥有
MRF8VP13350GNR3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到
MRF8VP13350GNR3替代型号
、
MRF8VP13350GNR3数据手册PDF。