制造商型号: | DMN65D9L-7 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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DIODES(美台) DMN65D9L-7
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DMN65D9L-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 335 mA
漏源电阻 4 Ohms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 400 fC
耗散功率 270 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
上升时间 3.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 102 ns
典型接通延迟时间 3.7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
3000 | 0.279574 | 838.72 |
6000 | 0.259347 | 1556.08 |
9000 | 0.21508 | 1935.72 |
30000 | 0.211264 | 6337.92 |
75000 | 0.189742 | 14230.65 |
品牌其他型号
DMN65D9L-7品牌厂家:DIODES
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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