制造商型号: | NGTB60N65FL2WG |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-IGBT |
商品描述: | 650V/60A IGBT FSII |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ON(安森美) NGTB60N65FL2WG
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NGTB60N65FL2WG 中文资料
数据手册PDF
NGTB60N65FL2WG 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.64 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 100 A
耗散功率 595 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 11.200 g
库存: 110
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 148.642948 | 148.64 |
10 | 134.322318 | 1343.22 |
25 | 128.072641 | 3201.82 |
100 | 111.2042 | 11120.42 |
500 | 103.141895 | 51570.95 |