制造商型号: | HGT1S10N120BNS |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-IGBT |
商品描述: | IGBT 1200V 35A 298W TO263AB |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
提示: | 联系在线客服,获得更多HGT1S10N120BNS价格库存等采购信息! |
ON(安森美) HGT1S10N120BNS
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
HGT1S10N120BNS 中文资料
数据手册PDF
HGT1S10N120BNS 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V
饱和电压 2.7 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 35 A
耗散功率 298 W
集电极连续电流 55 A
集电极连续电流(Max) 35 A
栅极—射极漏泄电流 +/- 250 nA
外形参数
高度 4.83 mm
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 1.312 g