制造商型号： | IXYA20N65C3D1 |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-IGBT |
商品描述： | IGBT |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXYA20N65C3D1
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IXYA20N65C3D1 中文资料
数据手册PDF
IXYA20N65C3D1 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 2.27 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 50 A
耗散功率 200 W
集电极连续电流（Max） 105 A
栅极—射极漏泄电流 100 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 IGBT Transistors
库存： 295
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 60.817144 | 60.82 |
| 10 | 54.624179 | 546.24 |
| 100 | 44.757462 | 4475.75 |
| 500 | 38.100953 | 19050.48 |
| 1000 | 32.479693 | 32479.69 |
