制造商型号： | FGA40T65SHDF |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-IGBT |
商品描述： | IGBT 650V 80A 268W TO-3PN |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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ON(安森美) FGA40T65SHDF
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FGA40T65SHDF 中文资料
数据手册PDF
FGA40T65SHDF 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.81 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 80 A
耗散功率 268 W
集电极连续电流（Max） 80 A
栅极—射极漏泄电流 400 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 6.401 g
库存： 133
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 71.7506 | 71.75 |
| 10 | 47.471665 | 474.72 |
品牌其他型号
FGA40T65SHDF品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-IGBT
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