制造商型号: | US6M11TR |
制造商: | ROHM (罗姆) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 自营 digikey |
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ROHM(罗姆) US6M11TR
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US6M11TR 中文资料
数据手册PDF
US6M11TR 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V, 12 V
漏极电流 1.5 A, 1.3 A
漏源电阻 180 mOhms, 260 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 1.8 nC, 2.4 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3 ns, 9 ns
上升时间 5 ns, 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns, 30 ns
典型接通延迟时间 5 ns, 8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 US6M11
单位重量 7.500 mg
US6M11TR 引脚图与封装图
US6M11TR引脚图
US6M11TR封装图
US6M11TR封装焊盘图
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
3000 | 1.767815 | 5303.44 |
6000 | 1.653764 | 9922.58 |
品牌其他型号
US6M11TR品牌厂家:ROHM
,所属分类: 射频晶体管
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