制造商型号： | SGH20N60RUFDTU |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-IGBT |
商品描述： | IGBT 600V 32A 195W TO3P |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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ON(安森美) SGH20N60RUFDTU
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SGH20N60RUFDTU 中文资料
数据手册PDF
SGH20N60RUFDTU 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
饱和电压 2.2 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 32 A
耗散功率 195 W
集电极连续电流 32 A
集电极连续电流（Max） 32 A
栅极—射极漏泄电流 +/- 100 nA
外形参数
高度 18.9 mm
长度 15.8 mm
宽度 5 mm
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 SGH20N60RUFDTU_NL
单位重量 6.401 g
品牌其他型号
SGH20N60RUFDTU品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-IGBT
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