制造商型号: | FDFME3N311ZT |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ON(安森美) FDFME3N311ZT
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FDFME3N311ZT 中文资料
数据手册PDF
FDFME3N311ZT 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 1.6 A
漏源电阻 299 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 1 nC
耗散功率 1.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.8 ns
正向跨导(Min) 2.8 S
上升时间 16 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 12 ns
外形参数
高度 0.75 mm
长度 2 mm
宽度 2 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Power Trench MOSFET
单位重量 40 mg
品牌其他型号
FDFME3N311ZT品牌厂家:ON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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