FDFME3N311ZT
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
针脚数 6
漏源极电阻 0.299 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 500 mW
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 1.60 A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 75pF @15VVds
额定功率Max 600 mW
下降时间 1.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.4W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 MicroFET-6
长度 1.6 mm
宽度 1.6 mm
高度 0.55 mm
封装 MicroFET-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FDFME3N311ZT | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDFME3N311ZT 场效应管, MOSFET, N沟道, 1.6A, 30V | 搜索库存 |